Букмекерская контора "ЛЕОН" - ставки на спорт

Использование средств принятия решений при проектировании устройств

8 июля 2012

Современные требования к срокам и качеству схемотехнического проектирования (СП) микроэлектронных устройств (МЭУ) предполагают широкое использование информационных технологий. При этом в отличие от этапа технического проектирования и производства  аппаратуры, для автоматизации которого создано множество программных продуктов семейства CAD/CAM/CAE, этап формирования основной концепции разрабатываемого изделия (в том числе, функционального облика), от качества и сроков выполнения которого чаще всего зависит успех всего проекта в целом, остается пока что вне феры внимания производителей соответствующего программного обеспечения.

Предлагаемый метод можно разбить на две последовательные процедуры: систематизация множества опорных вариантов построения МЭУ, и устранение неопределенных факторов целевой и физической природы. Первая процедура подразделяется на следующие этапы: создание базы данных по существующим множествам схемотехнических решений, элементной базы и т.д. Объединение всех полученных ранее множеств и формирование общего множества схемотехнических решений. Вторая процедура состоит из этапов определения характеристик элементов общего множества вариантов (испытание, макетирование или моделирование); получения результирующего множества схемных решений и их параметров с последующим экспертным оцениванием и формированием группового решения на основе согласованности и компетентности экспертов. Завершает процедуру этап непосредственной реализации ППР. На основе предлагаемого метода в среде визуального программирования Delph 6 разработан программный комплекс ППР при СП МЭУ.

Существующие Tyvek модели биполярных транзисторов, поставляемые фабриками изготовителями микросхем, обычно не учитывают наличие паразитных транзисторных структур в транзисторах PNP и NPN типов. Из-за отсутствия учета паразитных структур при схемотехническом моделировании схем, могут возникнуть ошибки, приводящие к неработоспособности реальных схем.

Построены схемотехнические модели для транзисторов с паразитными структурами, позволяющие проводить схемотехническое моделирование схем при помощи стандартных САПР с использованием Tyvek- моделей, предлагаемых фабрикой изготовителем микросхем и Tyvek- моделей исследованных паразитных транзисторных структур. При построении моделей паразитных транзисторных структур использовались измеренные коэффициенты усиления по току этих структур. Так как паразитные структуры образованы теми же р-п-переходами, что и основные транзисторы, то в качестве Tyvek- параметров, описывающих p-n-переходы этих структур, использованы параметры, приведенные в Tyvek- моделях фабрики изготовителя. На основании полученных схемотехнических моделей PNP и NPN транзисторов проведено моделирование узлов схемы защиты ионолитиевых батарей. Показано, что некоторые стандартные схемотехнические решения не могут быть использованы в схемах, построенных на транзисторах с паразитными структурами. Предложены варианты логических схем и компараторов, работоспособные при использовании транзисторов с паразитными элементами.

Комментарии
Добавить комментарий
Имя

E-mail



Способы создать демотиватор demotions.ru.